Samsung e IBM acabaram de anunciado seu mais recente avanço no design de chips semicondutores. O novo design do chip poderá permitir que as baterias dos celulares durem uma semana com uma única carga. O novo design do chip oferece uma melhoria duas vezes maior no desempenho ou uma redução de 85% no uso de energia.
O novo design é chamado de Transistores de Efeito de Campo de Transporte Vertical ou VTFET, para abreviar. O objetivo é suceder à atual tecnologia FinFET usada nos chips semicondutores mais avançados da atualidade. O novo design inclui empilhamento de transistores verticalmente em vez de colocá-los no chip. Isso permitirá que a corrente flua para cima e para baixo na pilha de transistores, em vez de lado a lado.
https://youtu.be/OF3Zwfu6Ngc
Samsung e IBM estão fazendo grandes afirmações sobre o design do novo chip e alguns possíveis casos de uso ambiciosos. Segundo as empresas, o novo design do VTFET é capaz de muitas coisas como;
- Mineração de criptomoedas com menos consumo de energia
- Criptografia de dados que consome menos energia
- Dispositivos IoT mais poderosos
- Bóias oceânicas, naves espaciais e veículos autônomos aplicáveis.
A Intel também está trabalhando em um design semelhante chamado RibbonFET, o sucessor do FinFET da empresa. Mas a produção desses chips só começará em 2024. A empresa também trabalha em sua nova linha de Chips de 7nm e 5nm vindo no futuro.
No início deste ano, a IBM exibiu seu chip de 2 nm que usa a atual tecnologia FinFET. Todas essas empresas estão ajudando a manter viva a lei de Moore, que aumenta constantemente a contagem de transistores.
