O maior fabricante de chips do mundo, o presidente da TSMC, Wei Zhejia Lucidity, mencionou que a progressão da produção de chips de 2 nm da empresa foi mais étnica do que a produção esperada.
Eles não teriam falado sobre o resultado se não tivessem feito o trabalho em um tempo limitado. Elementos exorbitantes sempre fizeram o seu lugar para manter a respiração viva ao fazer a cambalhota. Ele afirmou ainda que a produção da trilha de risco seria ocupada em 2023, e a produção em massa poderia acontecer em 2025.
O progresso da produção de chips TSMC de 2 nm parece uma faixa no tapete, varrendo toda poeira que aparece em seu caminho. Era sabido que a empresa revelou 2nm, um fluxo de tecnologia de processo totalmente novo, no ano passado.
O 2nm tem diversas outras notas a serem adicionadas na folha a partir dos transistores nanosheet. A TSMC aborda seus GAAFETs e barramento de energia traseiro, que visam aumentar as características de desempenho por watt do nó.
Os transistores de nanofolha GAA montam canais protegidos por paredes ou cercas em todos os lados dos compostos, o que moderadamente coloca um ponto final no vazamento, mas nem sempre é um guardião de partículas não identificadas.
Além disso, seu canal externo pode ser espalhado para aumentar a corrente da unidade e aumentar o desempenho ou esvaziar para reduzir o consumo e custo de energia. Com transistores Nanosheet que podem mover montanhas enquanto estão totalmente carregados e não desperdiçar nenhum de seus poderes, o N2 da TSMC busca a ajuda de um fornecimento de energia traseiro, que a fundição pretendia ser o melhor fornecedor de soluções para enfrentar todas as resistências no back-end -da linha.
O nó N2 baseado em nanofolhas da TSMC pode gerar um desempenho 10% a 15% maior com a mesma potência e complexidade de 3 nm e pode até reduzir o consumo de energia de 25% a 30% na mesma frequência e transistor.
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